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钱江三桥于1993年奠基,1996年竣工,1997年1月28日通车。该桥由同济大学设计,主桥施工单位是湖南路桥建设集团,引桥施工单位是包括浙江省水电建设集团在内的多家公司。
2011年7月15日,南端引桥桥面部分塌落,出现一个长20米,宽1.5米的缺口。一辆满载钢板的重型半挂车从桥面坠落,又将下匝道砸塌,司机跳车受伤。此后大桥禁止货车通行。
为迎接G20杭州峰会,2015年11月起,三桥开始全面实施“两化一治“(美化、亮化及设施类的整治)提升改造工程,原计划2016年4月底前改造工程全部完成,后来延期到6月底完工,7月投入使用。
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通过上述直拉工艺制备的单晶硅是制造大积体电路的基础材料,被用于计算机、电视机、移动电话和其他各种电子设备中。
使用直拉法工艺制备单晶硅时,常用石英(主要成分为二氧化硅)坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果,就是器皿本身因为高温加热,将发生热分解,导致熔融状态硅中混入氧,其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外,氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度,因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代,高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器(例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目)中用于辐射加固。因此,用这样的硅制成的辐射探测器,是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中,硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。
然而,氧杂质能够在光照环境中与硼发生反应,这与太阳能电池的情况类似。这将形成电活跃的硼-氧络合物。
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根据苏联部长会议第50号日期为14.01.59的决定,该分支机构同年转交给哈尔科夫苏维埃贸易研究所 - 转交给顿涅茨克苏维埃贸易研究所。
根据1966年3月4日第195号苏联部长会议决议,基辅贸易和经济研究所成立。
1994年8月29日乌克兰第542号部长内阁决定将其改为基辅州立贸易与经济大学。
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