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苏联共产党第二十七次代表大会（XXVII съезд Коммунистической партии Советского Союза），简称苏共二十七大（XXVII съезд КПСС），于1986年2月25日至3月6日在苏联莫斯科举行。152各外国党代表团出席大会。
苏共中央总书记戈尔巴乔夫代表苏共中央做政治报告，内容分六个部分：一、当代世界的主要趋势和矛盾；二、加速国家社会经济发展的战略性方针；三、社会的进一步民主化；四、党的对外政策战略的基本目标和方针；五、党；六、关于讨论党纲新修订本和修改党章的结果。西佐夫作苏共中央检查委员会总结报告。苏联部长会议主席雷日科夫作《苏联1986至1990年以及到2000年的经济和社会发展基本方针》的报告。
大会批判性地总结了苏联70——80年代初的状况，制定了加速国家社会经济发展的战略，提出了到世纪末使经济实力翻一番的目标，确定了对苏联社会生活各领域进行质的改造的方针。大会通过了戈尔巴乔夫的政治报告和雷日科夫的经济报告的决议，通过了新的党纲和党章，选出了新的中央委员会、中央检查委员会。总书记戈尔巴乔夫在闭幕式上讲话。
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复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说，砷化镓（GaAs）表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外，砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如，砷化镓自己比砷化铝镓（AlGaAs）有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下，III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
透明或半透明接触对于主动矩阵液晶显示器LCD、光电器件诸如激光二极管（LD）、发光二极管（LED）及光电管是必要的。最流行的选择是氧化铟锡（ITO），一种通过在氧气环境下溅射铟-锡（In-Sn）靶形成的金属。
接触电阻相关联的RC时间常数会限制器件的频率响应。引线电阻的充电与放电高时钟速率的数字电子设备能量耗散的主要原因。接触电阻在非常见半导体制成的低频和模拟电路中通过焦耳热的形式导致能量耗散（比如太阳能电池）。金属接触制备方法的建立是任何新兴半导体科技发展的重要部分。金属接触的电迁移与分离成层也是电子器件寿命的限制因素之一。
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四十五年后的1982年3月31日，教会领袖宣布将在博伊西地区建造一座圣殿。该圣殿址位于84号州际公路的出口附近，对那些沿高速公路行驶的人来说非常明显，也是博伊西机场飞行员的可见地标。
1939年，当时教会总会会长禧伯‧郭（Heber J. Grant）受邀前往爱达荷州的首付，在那里有15位著名的当地商人向教会提供了博伊西任何可用的地点，以建造爱达荷州的第一座圣殿，但由于爱达荷州的东部的教会成员较多，所以选择了爱达荷福尔斯。郭会长告诉这些人，当博伊西地区的会员人数增加时，将在那里建造一座圣殿。
1982年12月18日，大约5,000名成员挤在博伊西圣殿的遗址上，见证了十二使徒定额组的马克·彼得森长老（Mark E. Petersen）主持的奠基仪式。
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