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聂傲双N，是一名中国足球运动员，司职中场。目前效力于中甲球队武汉卓尔。
聂傲双出道于武汉卓尔青训系统。2013年全运会乙组比赛代表湖北队出场，表现受到好评。2014年1月与队友明天一起被选派至法国索肖足球俱乐部进行为期三个月的学习训练。2014年进入武汉卓尔一线队名单但并未在联赛中出场。2015年首次分别在对武汉宏兴的足协杯比赛和对江西联盛的中甲联赛中出场。2016年7月武汉卓尔俱乐部官方宣布与聂傲双签订了新的工作合同。
2018年4月4日中甲联赛第四轮武汉卓尔主场对阵辽宁宏运的比赛，聂傲双首发出场，并在下半场21分钟时禁区内接埃弗拉的传球兜射远角将球射入，打入个人首例联赛入球。
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* 1927年4月3日：大手町线开通，最初路线只直通接驳至国铁松山站，并不经过此处。
* 1936年5月1日：大手町线不再与国铁松山站衔接，改经车站外围接驳至西堀端站并与城北线衔接，但同样并未经过此处。
* 1953年12月11日：古町～国铁松山站前站间更改路轨，改行现时路轨，但并未设站
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20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题（如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限）严重影响了大规模集成电路（LSI）的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。
化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种，既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起，而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动（通常是以相反的方向转），但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干式刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。
化学机械平坦化是在机械抛光的基础上根据所要抛光的表面加入相应的化学添加剂从而达到增强抛光和选择性抛光的效果。
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