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复合半导体接触的形成可以理解比硅接触更为复杂。比如说，砷化镓（GaAs）表面倾向于丢失砷而且这种砷丢失的趋势可以通过沉积金属而被可观的放大。另外，砷的易挥发性限制了沉积后退火时砷化镓器件的承受度。砷化镓及其他复合半导体的一种解决办法是沉积低禁带合金接触层与高掺杂层相对。例如，砷化镓自己比砷化铝镓（AlGaAs）有更小的禁带带宽 所以一层靠近它表面的砷化镓层能促进欧姆行为。总之相比之下，III-V和II-VI半导体欧姆接触技术比硅欧姆接触技术发展较缓。
透明或半透明接触对于主动矩阵液晶显示器LCD、光电器件诸如激光二极管（LD）、发光二极管（LED）及光电管是必要的。最流行的选择是氧化铟锡（ITO），一种通过在氧气环境下溅射铟-锡（In-Sn）靶形成的金属。
接触电阻相关联的RC时间常数会限制器件的频率响应。引线电阻的充电与放电高时钟速率的数字电子设备能量耗散的主要原因。接触电阻在非常见半导体制成的低频和模拟电路中通过焦耳热的形式导致能量耗散（比如太阳能电池）。金属接触制备方法的建立是任何新兴半导体科技发展的重要部分。金属接触的电迁移与分离成层也是电子器件寿命的限制因素之一。
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阿尔汉格尔斯克省（Архангельская губерния）是俄罗斯帝国的一个省。成立于1784年（自沃洛格达省分出）。1929年1月14日，全俄中央执行委员会将三个旧省（阿尔汉格尔斯克省、沃洛格达省和北德维纳省）与科米－济良自治州合并为北方边疆区，行政中心设在阿尔汉格尔斯克。1937年9月1日重建为阿尔汉格尔斯克州。
1903年时面积842,531平方公里（包括了摩尔曼斯克州全境、卡累利阿共和国东北部、阿尔汉格尔斯克州北部和科米共和国北部），人口376,126人。首府阿尔汉格尔斯克。1890年时下分八县。
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海都，蒙古帝国窝阔台汗之孙，合失之子。窝阔台汗国的实际创立者。
自拖雷后裔蒙哥当选蒙古大汗始，窝阔台后裔渐失势，海都即于此时（约1252年）分封至蒙古以西的海押力。在1259年蒙哥汗死后发生于拖雷家族的内战中，海都支持阿里不哥为新汗，与忽必烈争夺汗位，然而至1264年终告失败。但海都更加希冀大汗之位属于窝阔台后代，遂积蓄实力，联合钦察汗国，图谋与忽必烈争夺蒙古帝国大汗宝座。据传其先祖成吉思汗曾经说出，只要窝阔台有一个吃奶的后代，都比其他人优先继承，因此他不断反忽必烈。
1266年，忽必烈以蔡州作为海都的分地，按年赏赐当地赋税。但他拒绝忽必烈征召。由此忽必烈遂派察合台后嗣八剌返察合台汗国争夺汗位，企求引起西部诸王内乱，以便其集中精力灭南宋的战争。令忽必烈意外的是，海都最初虽与察合台汗八剌激战，但旋即和好。至元六年（1269年），海都、八剌和钦察汗忙哥帖木儿在塔拉斯河进行会盟，公开反对忽必烈和伊儿汗国，并商议以海都为盟主。会盟各王指称忽必烈汗已经被汉族同化，言明要对忽必烈用兵以恢复蒙古人的游牧本性。他派兵攻打伊儿汗阿八哈。
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