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使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
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二战后至1961年（昭和36年），猿岛为美军接收。在美军接收期间，1947年（昭和22年）开始有渡船通航、1957年（昭和32年）开辟了海水浴场。之后在1993年（平成5年）海水浴场封闭，航录也废止，猿岛成为禁止进入的场所。1995年（平成7年），横须贺市受到大藏省委托，进行了步道的重新整备，也再度开始通航。2003年（平成15年），横须贺市由中央政府接受了猿岛的无偿让与。
* 在三笠码头（三笠公园内）搭船，约需10分钟。渡船3月至11月为每日出航，12月至2月则只有周六日出航。
* 要到三笠码头，可以从京急本线横须贺中央站徒步15分钟，或是从JR横须贺线横须贺站徒步30分钟。
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2010年，土地面积207.00平方千米，其中内陆157.25平方千米（含内陆水域25.55平方千米），海涂49.75平方千米。
2016年末，户数23223户，人口73829人，其中城镇人口12554人，乡村人口61275人。
镇政府驻岳中路49号。现任党委书记应利勇，党委副书记、镇长何称松。
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