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,或译拉姆研究,是美国科技公司,负责生产、设计、销售半导体产品。2016年公司首次进入财星美国500强企业名单,在2023年排行跃升至第240位,已连续七年排名上升。为全球前三大半导体设备制造商,提供先进技术与服务给各国半导体业者,营运据点分布在18个国家。
该公司「Lam」字样,是越南华侨林姓的意思,由广东出身西贡长大的华裔科学家和企业家David K. Lam成立于1980年,总部位于硅谷。1984年5月在纳斯达克挂牌上市。
2018年时它是旧金山湾区仅次于特斯拉汽车的第二大制造商。据 Bloomberg数据,2018年全球五大半导体设备制造商分别为应用材料(AMAT)、艾司摩尔(ASML)、东京威力科创(TEL)、科林研发(Lam Research)、科磊(KLA),这五大半导体制造商在2018年以其领先的技术、强大的资金支持占据着全球半导体设备制造业超过 70%的份额。
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土卫一最显著的特征是一个直径达130公里的庞大撞击坑——为纪念土卫一的发现者,它被命名为赫歇尔撞击坑。赫歇尔陨石坑的直径接近于该卫星直径的三分之一,其坑缘高达5公里,部分坑底则深达10公里,而其中心山峰则高出坑底6公里。如果地球上出现同等比例的撞击坑,则其直径将会达到4000公里,超过了加拿大的宽度。形成这个撞击坑的撞击事件几乎将土卫一撞得粉碎:在撞击坑的相对侧仍能清楚地看到断裂地形,这可能是撞击之后横贯星体的冲击波造成的。由于星体表面存在着这个大撞击坑,使土卫一的外观与《星球大战》中的死星相似。
此外,土卫一的表面还遍布着众多较小的撞击坑,但是其中没有一个可以与赫歇尔陨石坑相匹敌。虽然土卫一遭受过猛烈的轰击,但是成坑过程并不同一。其大部分表面都覆盖着直径超过40公里的撞击坑,而在南极地区,却很少有直径超过20公里的撞击坑。这表明某种地质活动将这些地区的较大撞击坑移除了,或者某些事物或机制阻止了较大星体对南极地区的轰击。
科学家在土卫一标明已发现的主要地质构造有两种:撞击坑和峡谷。
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在2013年夏季,小川圭佑与同乡Shohei Okuno一起前往塞尔维亚,并经过试脚后,与塞尔维亚超联球会施洛博达签约,但他在6个月裹都没有出场机会,结果他在冬季转会窗时,选择离开,重返拉脱维亚超联球会利柏查。
在2017年11月,小川圭佑远赴香港加盟港超联球会香港飞马,可是他只是一直随飞马训练,并未有获注册。结果他在2018年5月转会到马来西亚联赛球会沙巴。
2019年,他加盟了台湾企业甲级足球联赛球会台中Futuro。
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